PD20015S-E

PD20015S-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率场效应晶体管，采用PowerSO-10封装。该器件设计用于高达2GHz的射频应用，在13.6V工作电压下可提供15W的输出功率和11dB的增益，具备40V的额定电压和7A的电流处理能力。

其核心卖点在于结合了LDMOS技术的高功率密度、良好线性度与PowerSO封装的高效散热特性，适用于需要中功率、高效率放大的射频链路。该型号主要面向通信基础设施及工业射频系统等领域的功率放大环节。

• 制造商产品型号：PD20015S-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：停产
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：2GHz
• 增益：11dB
• 电压-测试：13.6V
• 额定电流（安培）：7A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：350mA
• 功率-输出：15W
• 电压-额定：40V
• 封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘
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