PD54003L-E技术参数详情：
PD54003L-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，采用8-PowerVDFN封装。该器件设计用于500MHz频段，在7.5V测试电压下可提供20dB的高增益和3W的功率输出，其额定电压为25V，最大电流为4A，具备良好的功率处理能力。
其紧凑的PowerFLAT封装提供了优异的热管理特性，适合空间受限的高性能射频放大应用。该器件适用于专业无线通信、RFID及ISM频段设备中的功率放大级，是构建高效射频前端的关键元件。
- 型号:PD54003L-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:20dB
- 电压 - 测试:7.5 V
- 额定电流（安培）:4A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:50 mA
- 功率 - 输出:3W
- 电压 - 额定:25 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
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