PD55008TR-E技术参数详情：
PD55008TR-E是ST意法半导体生产的一款有源射频功率晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件采用LDMOS晶体管类型，核心设计针对500MHz工作频率进行了优化，能够在12.5V测试电压下提供高达8W的射频输出功率，同时实现17dB的功率增益，确保了高效的能量转换和信号放大能力。
其额定电压为40V，额定电流达4A，结合PowerSO-10RF封装（带裸露底部焊盘），提供了出色的电气坚固性和散热性能。这些参数共同构成了该器件的核心卖点：在高频段实现高功率、高增益的稳定输出，同时兼顾可靠性与紧凑的布局需求，使其成为专业通信和工业射频应用的理想功率放大解决方案。
- 型号:PD55008TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流（安培）:4A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:8W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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