PD55015STR-E技术参数详情：
PD55015STR-E是ST意法半导体推出的一款有源LDMOS射频功率场效应晶体管（FET），隶属于晶体管-FET， MOSFET - 射频系列。该器件核心设计用于在高达500MHz的频率下提供高效的功率放大，其关键参数定义了卓越的性能：具备15W的射频功率输出能力和14dB的高增益，同时支持40V的额定电压和5A的额定电流，为系统提供了强大的功率处理能力和设计裕度。
器件采用12.5V电压进行测试，测试电流为150mA，确保了其在典型工作条件下的性能可预测性。其采用的PowerSO-10封装（带裸露底部焊盘）优化了功率器件的散热路径，是实现紧凑、高可靠性射频功率放大器设计的理想解决方案。
- 型号:PD55015STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:14dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:15W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 现在可以订购PD55015STR-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
