PD57002-E技术参数详情：
PD57002-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率场效应晶体管，专为高频高功率应用而设计。其核心卖点在于能够在960MHz频率下提供高达2W的输出功率和15dB的功率增益，工作电压为28V，并拥有65V的高额定电压，确保了在射频功率放大应用中的鲁棒性和可靠性。
该器件采用PowerSO-10封装，集成了裸露底部焊盘以优化散热性能，这对于维持功率器件的长期稳定运行至关重要。其250mA的额定电流能力支持了良好的功率处理水平。PD57002-E主要面向专业通信、基站以及需要稳定射频能量输出的工业设备等应用领域。
- 型号:PD57002-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:960MHz
- 增益:15dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:250mA
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:10 mA
- 功率 - 输出:2W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
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