PD57006STR-E技术参数详情：
PD57006STR-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率场效应晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件针对945MHz附近的射频功率放大应用进行了优化，在28V工作电压下可提供6W的输出功率和15dB的功率增益，具备良好的信号驱动能力。
其额定漏极电流为1A，漏源击穿电压高达65V，确保了在射频功率输出工况下的工作余量和可靠性。封装底部的裸露焊盘设计有效提升了散热性能，适用于对热管理有要求的射频功放模块。该晶体管主要面向专业无线通信设备等需要中等功率射频放大的场景。
- 型号:PD57006STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:15dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:1A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:70 mA
- 功率 - 输出:6W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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