PD57006TR-E技术参数详情：
PD57006TR-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件设计用于945MHz频率，能够提供6W的射频功率输出，并具备15dB的高增益特性，可有效提升发射链路的信号强度。
其电气参数坚实，支持高达65V的额定电压和1A的额定电流，在28V测试电压下工作。裸露底部的封装设计优化了散热与高频性能。该器件适用于需要中等功率放大的专业无线通信设备，如专用无线系统及射频基础设施。
- 型号:PD57006TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:15dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:1A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:70 mA
- 功率 - 输出:6W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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