PD57060-E技术参数详情：
PD57060-E是ST意法半导体生产的一款射频功率LDMOS场效应晶体管，属于有源器件。该器件核心设计针对945MHz频段的高功率放大应用，在28V工作电压下可输出高达60W的射频功率，同时提供14.3dB的高增益，有效简化了前级驱动电路的设计。
其采用PowerSO-10带裸露焊盘的封装，确保了优异的高频性能和散热能力。凭借65V的高额定电压和7A的电流处理能力，该晶体管具备良好的坚固性和可靠性，非常适合用于要求苛刻的通信基站、专业射频系统等场景的末级功率放大级。
- 型号:PD57060-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:14.3dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:100 mA
- 功率 - 输出:60W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
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