PD57060STR-E技术参数详情：
PD57060STR-E是ST意法半导体推出的一款LDMOS射频功率晶体管，核心设计针对约945MHz的高功率放大应用。该器件在28V工作电压下可输出高达60W的射频功率，并提供14.3dB的增益，展现出强大的功率驱动与放大能力。
其技术规格突出了高可靠性设计，包括65V的额定电压和7A的额定电流，确保了在严苛工况下的稳定运行。采用带裸露焊盘的PowerSO-10封装，有效优化了高频性能与散热管理，使其成为基站、广播发射等专业射频系统中对功率与效率有严格要求的理想选择。
- 型号:PD57060STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:14.3dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:100 mA
- 功率 - 输出:60W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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