PD85015STR-E技术参数详情：
PD85015STR-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率场效应晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件核心设计针对870MHz频段优化，能够在13.6V测试电压下，提供高达15W的射频输出功率和约16dB的功率增益，具备出色的信号放大能力。
其规格参数显示，该晶体管额定电压为40V，额定电流达5A，确保了其在高压和高电流工作条件下的稳健性。封装底部的裸露焊盘设计显著增强了散热性能，适用于对热管理有较高要求的持续或脉冲功率应用场景。
- 型号:PD85015STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:16dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:15W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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