PD85015TR-E技术参数详情：
PD85015TR-E是ST意法半导体生产的一款有源、N沟道射频功率LDMOS场效应晶体管。该器件基于LDMOS技术，专为870MHz频段的高性能射频功率放大应用而优化。
其核心参数表现卓越，在13.6V工作电压下可提供高达15W的射频输出功率，并具备16dB的高功率增益，有效简化了驱动电路设计。器件采用散热增强型的PowerSO-10RF封装，额定电压达40V，额定电流为5A，确保了在严苛应用环境下的高可靠性和出色的热管理能力。
- 型号:PD85015TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:16dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:15W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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