PD85025TR-E技术参数详情：
PD85025TR-E是ST意法半导体生产的一款有源LDMOS射频功率场效应晶体管，属于晶体管-FET， MOSFET - 射频系列。该器件在870MHz频率下，于13.6V工作电压时，能提供高达10W的射频输出功率和17.3dB的功率增益，表现出强大的信号放大能力。
其核心优势在于高达7A的额定电流和40V的额定电压，确保了充沛的功率处理余量和系统可靠性。采用专为射频功率优化的PowerSO-10RF封装，带有裸露焊盘，有效兼顾了高频性能与散热需求，是基站、专业无线通信等基础设施中功率放大级的理想选择。
- 型号:PD85025TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17.3dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:10W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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