PD85035-E技术参数详情：
PD85035-E是ST意法半导体推出的一款有源LDMOS射频功率晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件专为870MHz高频应用设计，在13.6V测试电压下，能提供高达17dB的增益和15W的输出功率，具备强大的信号放大与驱动能力。
其核心优势在于40V的高额定电压和8A的额定电流，确保了器件在高功率工作条件下的可靠性与鲁棒性。采用带裸露焊盘的PowerSO-10RF封装，优化了散热与高频电气性能，适用于需要高效率、高线性度功率放成的专业通信设备。
- 型号:PD85035-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:8A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:350 mA
- 功率 - 输出:15W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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