PD85035STR1-E

PD85035STR1-E是ST意法半导体生产的一款有源射频功率MOSFET，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件采用LDMOS技术，核心定位于870MHz频段的高性能功率放大应用。

其关键电气参数定义了卓越的性能：在13.6V测试电压下，器件提供高达17dB的增益和15W的输出功率，同时支持8A的额定电流和40V的额定电压，展现出强大的功率处理能力与设计裕度。POWERSO-10RF封装确保了优良的热性能和射频特性，使其成为专业无线通信与工业射频系统中功率放大级的可靠解决方案。

• 制造商产品型号：PD85035STR1-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：870MHz
• 增益：17dB
• 电压-测试：13.6V
• 额定电流（安培）：8A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：350mA
• 功率-输出：15W
• 电压-额定：40V
• 封装：-
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