PWD13F60TR技术参数详情：
PWD13F60TR是ST意法半导体生产的一款工业级高密度功率驱动器IC。该器件集成了两个半桥驱动通道，采用功率MOSFET技术，典型导通电阻仅为320毫欧，每个通道可提供8A的持续输出电流和高达32A的峰值电流，具备强大的功率开关和驱动能力。
其设计注重可靠性与易用性，内置欠压锁定（UVLO）保护功能，工作结温范围覆盖-40°C至125°C，采用28-PowerVQFN表面贴装封装，并通过逻辑接口进行控制。这些特性使其成为驱动电机、电磁阀等电感负载的理想选择，尤其适用于对空间、效率和可靠性有严苛要求的工业自动化应用。
- 型号:PWD13F60TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:28-VFQFPN（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 全半桥驱动器
- 描述:IC HALF BRIDGE DRVR 8A 28VFQFPN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 输出配置:半桥（2）
- 应用:工业级
- 接口:逻辑
- 负载类型:电感
- 技术:功率 MOSFET
- 导通电阻（典型值）:320 毫欧
- 电流 - 输出/通道:8A
- 电流 - 峰值输出:32A
- 电压 - 供电:15V
- 电压 - 负载:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 特性:-
- 故障保护:UVLO
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:28-PowerVQFN
- 供应商器件封装:28-VFQFPN（10x13）
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