SCT30N120D2

SCT30N120D2是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件采用HiP247通孔封装，核心特性包括1200V的漏源击穿电压（Vdss）和40A（Tc）的连续漏极电流能力，为高功率应用提供了坚实的电压与电流基础。

其技术优势体现在极低的导通与开关损耗上：在20V驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为100毫欧（@20A），栅极电荷（Qg）最大值低至105nC。这些参数共同确保了器件在高频开关工况下的高效率。此外，其结温工作范围宽达-55°C至200°C，结合270W（Tc）的功率耗散能力，赋予了系统卓越的热可靠性和环境适应性。

• 制造商产品型号：SCT30N120D2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）：1200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 20A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：105nC @ 20V
• Vgs（最大值）：+25V，-10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 400V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：270W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：HiP247
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