SCTH35N65G2V-7技术参数详情：
SCTH35N65G2V-7是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET），采用H2PAK-7封装。该器件基于先进的SiC技术，具备650V的漏源电压（Vdss）和45A的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其核心优势体现在卓越的开关性能与低损耗特性上。器件在20V驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值低至67毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为73nC，这共同实现了高效率与高频率运行能力。其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）与优化的封装设计，确保了在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。
- 型号:SCTH35N65G2V-7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-7
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-7
- 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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