SCTW70N120G2V技术参数详情：
SCTW70N120G2V是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道碳化硅结晶体管（SJT），采用HiP247通孔封装。该器件核心优势在于其1200V的额定电压和91A的连续电流能力，结合碳化硅技术固有的低损耗特性，为高功率应用提供了高效的解决方案。
其关键电气参数表现出色，最大导通电阻低至30毫欧（@50A， 18V），有助于显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（150nC @18V）和宽泛的工作温度范围（-55°C至200°C），确保了器件在高频开关和高温环境下的稳定、高效运行，适用于要求严苛的工业与能源领域。
- 型号:SCTW70N120G2V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):91A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3540 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:547W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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