SCTWA35N65G2V技术参数详情：
SCTWA35N65G2V是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅（SiC）功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件集成了650V的漏源电压（Vdss）和45A（Tc）的连续漏极电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（72mΩ @20A, 20V）与优化的栅极电荷（73nC @20V），这共同确保了在高频开关应用中实现极低的导通与开关损耗。
基于先进的SiC技术，该晶体管支持高达175°C的结温工作，并具备208W（Tc）的功率耗散能力，提供了出色的高温可靠性和鲁棒性。其3.2V（最大值）的栅极阈值电压和宽泛的驱动电压范围（-5V至+20V）也简化了驱动电路的设计。这些特性使其成为提升服务器电源、光伏逆变器、工业驱动及电动汽车充电系统等高效能功率转换方案性能的理想选择。
- 型号:SCTWA35N65G2V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+20V，-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73000 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购SCTWA35N65G2V，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
