SD2904技术参数详情：
SD2904是ST意法半导体生产的一款N沟道射频功率MOSFET，采用M113封装，专为高频高功率放大设计。该器件在高达400MHz的VHF/UHF频段内，能够提供30W的输出功率和11.5dB的典型功率增益，性能表现突出。
其核心电气参数包括65V的额定电压、5A的额定电流以及28V的典型测试电压，确保了在严苛工作条件下的高可靠性和稳定性。这款晶体管主要面向需要稳健功率输出的专业射频发射应用。
- 型号:SD2904
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M113
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET 28V M113
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 通道
- 频率:400MHz
- 增益:11.5dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:50 mA
- 功率 - 输出:30W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M113
- 供应商器件封装:M113
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