SD2931-12MR技术参数详情：
SD2931-12MR是ST意法半导体生产的一款有源N沟道射频功率MOSFET，隶属于其射频晶体管系列。该器件采用M174MR封装，专为高要求的VHF频段应用优化。
其核心优势在于175MHz工作频率下可提供高达150W的射频输出功率，并具备15dB的功率增益，能显著简化驱动级设计。同时，器件支持125V的额定电压和20A的额定电流，展现了强大的功率处理能力和高可靠性，适用于构建稳健的高功率射频放大链路。
- 型号:SD2931-12MR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M174MR
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET 50V M174MR
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 通道
- 频率:175MHz
- 增益:15dB
- 电压 - 测试:50 V
- 额定电流（安培）:20A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:250 mA
- 功率 - 输出:150W
- 电压 - 额定:125 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M174MR
- 供应商器件封装:M174MR
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