SD56120M技术参数详情：
SD56120M是ST意法半导体推出的一款大功率射频LDMOS晶体管，专为高频、高功率应用设计。其核心特性是在860MHz工作频率下，能够提供高达120W的射频功率输出，并具备约16dB的高功率增益，这极大简化了前级放大电路的设计。
该器件采用M252封装，额定电压达65V，额定电流为14A，展现了强大的功率处理能力和坚固性。这些参数使其成为专业广播发射、基站功率放大等对输出功率和可靠性有严苛要求的固定式射频设备的理想选择。
- 型号:SD56120M
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M252
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 32V M252
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:860MHz
- 增益:16dB
- 电压 - 测试:32 V
- 额定电流（安培）:14A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:400 mA
- 功率 - 输出:120W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M252
- 供应商器件封装:M252
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