SGSD100技术参数详情：
SGSD100是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-247封装。其设计核心在于实现高电流驱动能力，集电极电流（IC）最大值达25A，并具备80V的集射极击穿电压，为功率电路提供了坚实的电压与电流基础。
该器件的突出特点是其极高的直流电流增益，在10A, 3V条件下最小值可达500，这使其能够用很小的基极电流控制大负载，显著简化驱动级设计。最大130W的功耗能力要求配备有效散热。它主要面向需要高增益、大电流开关或线性放大的应用，如电源调整、电机驱动和音频放大等功率处理环节。
- 型号:SGSD100
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 80V 25A TO-247-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3.5V @ 80mA，20A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:500 @ 10A，3V
- 功率 - 最大值:130 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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