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SH63N65DM6AG
- 制造厂商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:9-ACEPACK SMIT
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
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SH63N65DM6AG技术参数详情：
- 型号:SH63N65DM6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:9-ACEPACK SMIT
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:650V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:64 毫欧 @ 23A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3344pF @ 100V
- 功率 - 最大值:424W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:9-PowerSMD
- 供应商器件封装:9-ACEPACK SMIT
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