SM6F10AY技术参数详情：
SM6F10AY是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级瞬态电压抑制（TVS）二极管。该器件采用齐纳技术，提供单向通道保护，专为抑制汽车电子系统中的瞬态过压事件而优化。
其核心参数表现出强大的保护能力：反向断态电压典型值为10V，最小击穿电压为11.1V，能够精确保护12V系统。在承受高达184A（8/20s）的峰值脉冲电流时，其最大钳位电压仅为21.7V，峰值脉冲功率达600W，确保了在严重浪涌事件下的可靠钳位。此外，其宽工作结温范围（-55°C至175°C）和表面贴装SOD-128封装，使其能够适应汽车应用的苛刻环境与紧凑布局需求。
- 型号:SM6F10AY
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOD128Flat
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 10VWM 21.7V SOD128FLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:10V（最大）
- 电压 - 击穿（最小值）:11.1V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:21.7V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):184A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:600W
- 电源线路保护:无
- 应用:-
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOD-128
- 供应商器件封装:SOD128Flat
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