STAC150V2-350E技术参数详情：
STAC150V2-350E是ST意法半导体推出的一款高性能N通道射频功率MOSFET，专为40.68MHz ISM频段的高功率应用而优化。该器件基于LDMOS技术，能够提供高达500W的射频输出功率，并具备16.5dB的功率增益，显著提升了功率放大级的效率与驱动简易性。
其核心优势在于700V的高额定电压，确保了在恶劣工作条件下的高可靠性与宽安全工作区。采用STAC177B封装，兼顾了优异的射频性能与热管理能力，使其成为工业加热、等离子体激励等要求严苛的射频能量系统的理想功率放大元件。
- 型号:STAC150V2-350E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:STAC177B
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET 150V STAC177B
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 通道
- 频率:40.68MHz
- 增益:16.5dB
- 电压 - 测试:150 V
- 额定电流（安培）:1A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:-
- 功率 - 输出:500W
- 电压 - 额定:700 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:STAC177B
- 供应商器件封装:STAC177B
- 现在可以订购STAC150V2-350E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
