STB100N10F7

STB100N10F7是ST意法半导体基于STripFET VII技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件提供100V的漏源电压额定值，并在10V栅极驱动下实现低至8毫欧（@40A）的导通电阻，结合61nC的低栅极电荷，有效优化了传导与开关损耗。

其采用D2PAK封装，在25°C管壳温度下可承载80A的连续漏极电流，最大功率耗散达150W。这些参数使其成为高效率、高功率密度设计的核心组件，尤其适用于DC-DC转换、电机控制和电源管理等应用领域。

• 型号:STB100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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