STB100NF03L-03-1

STB100NF03L-03-1是ST意法半导体推出的一款采用I2PAK封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件设计用于处理高达100A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和50A I_D条件下最大值仅为3.2mΩ，能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

此外，其优化的栅极电荷（Q_g）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。30V的漏源电压（V_DSS）和高达300W的功率耗散能力，使其成为低压、大电流开关应用的理想选择，例如同步整流、电机控制和DC-DC功率转换模块。

• 型号:STB100NF03L-03-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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