STB11NM60FDT4

STB11NM60FDT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（V_DSS）和11A连续漏极电流（I_D），具备处理中等功率等级的能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）保持较低水平，有助于减少导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）参数确保了高效的开关性能，有利于降低整体开关损耗并提升系统频率。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正及工业电源等高效能转换应用的理想选择。

• 型号:STB11NM60FDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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