STB120N4LF6技术参数详情：
STB120N4LF6是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用D2PAK封装，集成了先进的STripFET VI和DeepGATE技术，在40V的漏源电压（VDSS）下，能够提供高达80A（TC）的连续电流处理能力。
其核心优势在于极低的功率损耗。导通电阻（RDS(on)）最大值低至4mΩ (@40A, 10V)，显著降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为80nC (@10V)，有助于实现快速开关并降低开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在严苛汽车环境下的稳定性和长寿命。这些特性使其成为汽车及工业应用中高效DC-DC转换和电机驱动的优选功率开关解决方案。
- 型号:STB120N4LF6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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