STB12NM60N-1技术参数详情：
STB12NM60N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件额定漏源电压（Vdss）为600V，在25°C壳温下可承受10A的连续漏极电流，采用I2PAK通孔封装。
其核心优势在于结合了高耐压与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为410毫欧（@5A），能显著降低功率传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30.5nC，有利于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，提升整体电源转换效率。这些特性使其适用于对效率和可靠性有较高要求的功率开关应用。
- 型号:STB12NM60N-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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