STB141NF55技术参数详情：
STB141NF55是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（典型8mΩ @ 40A, 10V）与高达80A的连续漏极电流处理能力，旨在显著降低功率应用中的传导损耗。
其55V的漏源电压额定值和300W的功率耗散能力，确保了在中等电压、高电流场景下的可靠运行。优化的栅极电荷（最大142nC）有助于实现高效的开关性能，而-55°C至175°C的宽工作结温范围则赋予了其出色的环境适应性，适用于要求苛刻的工业与汽车电子领域。
- 型号:STB141NF55
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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