STB15NM65N

STB15NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh II技术制造，封装形式为D2PAK。其核心电气特性包括650V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为离线电源应用提供了坚实的电压与电流基础。

该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（RDS(on)）在10V Vgs条件下典型值低至270毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值55nC）和输入电容（Ciss，最大值1900pF）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。这些特性使其适用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换场景。

• 型号:STB15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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