STB16NK65Z-S技术参数详情：
STB16NK65Z-S是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心电气参数突出，具备650V的高漏源电压（Vdss）和13A（Tc）的连续漏极电流处理能力，适用于高要求的功率开关场景。
其技术优势在于通过优化的工艺实现了低导通电阻（典型500mΩ @ 10V, 6.5A）与低栅极电荷（最大89nC @ 10V）的良好结合。这一特性使其在导通损耗和开关损耗之间取得平衡，有助于提升系统整体能效。器件结温范围宽（-55°C ~ 150°C），确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
- 制造商产品型号：STB16NK65Z-S
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 13A I2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：SuperMESH
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：89nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2750pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I2PAK
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