STB16NM50N

STB16NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）和15A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。在10V Vgs驱动下，Rds(on)典型值低至260毫欧（@7.5A），有助于降低导通损耗；同时，最大38nC的栅极电荷（Qg）有利于降低驱动损耗并支持较高的开关频率。这些特性使其在提升系统能效和功率密度方面具有优势。

该器件设计最大功率耗散为125W（Tc），最高工作结温为150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。它主要面向工业电源、照明电子镇流器及UPS等需要高效高压开关的领域。

• 型号:STB16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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