STB16PF06LT4技术参数详情：
STB16PF06LT4是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，采用STripFET技术和D2PAK表面贴装封装。其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和16A（Tc）的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率基础。
该器件的显著优势在于其优异的导通特性与易驱动性。其在10V Vgs、8A Id条件下的导通电阻（RDS(on)）最大值仅为125毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极阈值电压（Vgs(th) ≤ 1.5V）和较小的栅极电荷（Qg ≤ 15.5nC @ 4.5V）使其能够被低压逻辑信号高效驱动，简化了电路设计并优化了开关性能。
- 型号:STB16PF06LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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