STB18N65M5技术参数详情：
STB18N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，封装形式为D2PAK。该器件核心规格为650V漏源电压（Vdss）与15A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其显著技术优势在于实现了低导通电阻与优异开关性能的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为220毫欧 @ 7.5A，同时栅极电荷（Qg）典型值较低，这共同确保了较低的传导损耗与开关损耗，有助于提升整体电源系统的转换效率。器件采用表面贴装封装，最高工作结温达150°C，适用于高可靠性要求的工业及消费类电源设计。
- 型号:STB18N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB18N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
