STB18NF25

STB18NF25是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术，封装形式为D2PAK。该器件核心参数包括250V的漏源电压（V_DSS）和17A的连续漏极电流（I_D），适用于高压大电流的开关应用。

其关键电气特性表现为较低的导通电阻（165mΩ @ 8.5A, 10V）与栅极电荷（29.5nC @ 10V），这一组合优化了导通损耗与开关损耗，有助于提升系统效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在汽车及工业等恶劣环境下的可靠性与耐用性。

• 型号:STB18NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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