STB18NF30技术参数详情：
STB18NF30是ST意法半导体基于STripFET II技术制造的N沟道功率MOSFET，符合AEC-Q101汽车级标准，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于330V的高耐压与180毫欧的低导通电阻（@10V，9A）的出色结合，能够在高功率应用中有效降低传导损耗。
该器件提供18A的连续电流能力，并具备44nC的低栅极电荷，这有助于实现高效率的快速开关操作，减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和150W的功率耗散能力，确保了其在汽车电子、工业电源转换等严苛环境下的高可靠性和长期稳定性。
- 型号:STB18NF30
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:330 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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