STB20N65M5

STB20N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供了650V的高漏源电压（Vdss）和18A（Tc）的高连续漏极电流处理能力，专为应对高压、大电流的开关应用而设计。

其核心优势在于实现了优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）保持较低水平，有助于最小化导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了快速的开关速度和较低的开关损耗，有利于提升系统效率和工作频率。器件采用D2PAK表面贴装封装，结温高达150°C，确保了在高温环境下的可靠运行和出色的功率耗散能力。

• 型号:STB20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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