STB20NM50FDT4

STB20NM50FDT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为500V漏源电压和20A连续漏极电流，专为应对高压、大电流的严苛应用环境而设计。

其技术亮点在于通过先进的工艺实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值低至250毫欧，能显著降低导通损耗。同时，最大53nC的栅极电荷有助于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升系统整体能效。器件支持高达150°C的结温工作，并具备192W的功率耗散能力，确保了出色的热性能和长期运行可靠性。

• 型号:STB20NM50FDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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