STB230NH03L技术参数详情：
STB230NH03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为3毫欧，配合80A（Tc）的高连续电流能力，能显著降低传导损耗，提升系统能效。
其电气参数针对低压大电流应用优化，具备30V的漏源电压和4.5V至10V的标准驱动电压范围，易于驱动。尽管产品状态已标注为停产，但其高达300W（Tc）的功率处理能力和-55°C至175°C的宽工作结温范围，体现了其设计用于高可靠性、高功率密度场景的初衷，适用于同步整流、电机驱动等关键功率路径。
- 型号:STB230NH03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4700 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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