STB25NF06AG

STB25NF06AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive STripFET系列。该器件采用D2PAK封装，关键电气参数包括60V的漏源电压（V_DSS）以及在壳温25°C下19A的连续漏极电流（I_D）能力，并支持高达50W的功率耗散，展现出稳健的功率处理性能。

其技术核心在于优化了导通电阻与开关特性之间的平衡，旨在实现高效率的功率转换。4.5V的低栅极驱动电压确保了与常见控制器的良好兼容性。这些特性使其非常适合应用于汽车电子和工业系统中的电源转换、电机驱动及负载开关等场景，是一款针对中功率、高可靠性需求设计的功率开关解决方案。

• 型号:STB25NF06AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 19A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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