STB25NM50N

STB25NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于成熟的MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），展现了其处理中高功率的能力。

其技术优势在于实现了低导通电阻与良好开关性能的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为140毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容参数有利于提升开关速度并减少驱动损耗，从而提升整体电源系统的效率。这些特性使其非常适用于对效率和可靠性有较高要求的开关电源及功率转换应用。

• 型号:STB25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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