STB26NM60ND

STB26NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括600V的漏源击穿电压（V_DSS）以及在壳温25°C下21A的连续漏极电流（I_D）。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，典型导通电阻（R_DS(on)）仅为175毫欧（@10.5A, 10V），栅极电荷（Q_g）最大值为54.6nC（@10V）。这一特性使其在导通损耗和开关损耗方面均有出色表现，旨在提升功率转换系统的整体效率。该器件适用于10V标准驱动，最高结温为150°C，主要面向高效的开关电源和电机驱动等应用场景。

• 型号:STB26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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