STB27NM60ND

STB27NM60ND是ST意法半导体FDmesh II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装。其核心卖点在于结合了600V的高漏源电压（Vdss）与低至160毫欧（@10V, 10.5A）的导通电阻，在25°C壳温下可支持21A的连续漏极电流，有效降低了导通损耗。

该器件专为高可靠性应用设计，属于Automotive, AEC-Q101产品系列，最大结温达150°C。其动态特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）仅为80nC（@10V），有助于实现高效率的快速开关。这些特性使其非常适合用于要求严苛的汽车电子及工业电源系统中的功率开关应用。

• 型号:STB27NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
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