STB30N65M2AG技术参数详情：
STB30N65M2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装，专为高要求应用而设计。其核心优势在于650V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流能力，结合MDmesh M2技术实现了低至180毫欧的导通电阻（Rds(on)）与30.8nC的低栅极电荷（Qg），这使其在高压开关应用中能同时降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。
该器件符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子环境，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣条件下的可靠性。其10V的标准驱动电压和±25V的栅源电压耐受范围，提供了稳健的驱动接口。这些特性使其成为开关电源（SMPS）、电机驱动和功率转换等高效、高可靠性设计的理想选择。
- 型号:STB30N65M2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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