STB32NM50N

STB32NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装型TO-263（DPak）封装，专为高效能功率转换应用而设计。

其核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。关键优势在于其优异的低导通电阻特性（典型值远低于130mΩ @ 11A, 10V）与极低的栅极电荷（最大62.5nC @ 10V），这共同实现了更低的传导损耗和更快的开关速度，从而显著提升系统整体效率。

该器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗为190W（Tc），确保了在高温高功率环境下的可靠性与稳定性，是工业电源、电机驱动及各类开关电源设计中理想的功率开关选择。

• 型号:STB32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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