STB33N60DM6

STB33N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心优势在于实现了600V高耐压与低至128毫欧（@12.5A, 10V）的导通电阻之间的优异平衡，同时具备仅35nC的低栅极电荷，这共同确保了其在高压应用中的高效率与快速开关性能。

器件额定连续漏极电流为25A（Tc），采用D2PAK表面贴装封装，最大功率耗散能力达190W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现出强大的功率处理能力和宽温工作适应性。这些特性使其成为工业级开关电源、电机驱动和各类功率转换系统中主功率开关的理想选择。

• 型号:STB33N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:128毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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