STB34N50DM2AG技术参数详情：
STB34N50DM2AG是ST意法半导体基于MDmesh DM2技术开发的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其500V的漏源电压和26A的连续电流处理能力，结合低至120毫欧的导通电阻，能够显著降低高压应用中的传导损耗。
其开关特性经过优化，44nC的低栅极电荷有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统效率。器件采用D2PAK封装，最大功耗190W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，完全符合AEC-Q101标准，确保了在汽车及工业等恶劣环境下的长期可靠性与稳定性。
- 型号:STB34N50DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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